全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發與部署方面發揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
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瑞薩 DDR5 MRDIMM 內存接口芯片組
10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態氮極限超頻技術，創下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 內存 DDR5
?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內置時鐘驅動器的全新類型內存，即?Crucial??英睿達??DDR5?時鐘驅動器無緩沖雙列直插式內存模塊?(CUDIMM)?和時鐘驅動器小型雙列直插式內存模塊?(CSODIMM)，并已開始批量出貨。這兩款全新內存均符合?JEDEC?標準，運行速度高達?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
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美光 時鐘驅動器 DDR5
IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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三星 內存 DDR5
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展?！惫疽?b DRAM
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SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
隨著游戲要求越來越高，DDR4 和 DDR5 內存之間的差距不斷擴大。
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DDR4 DDR5
人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產業的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數據的快速發展帶動服務器CPU內核數量同步增加，為滿足多核CPU中各內核的數據吞吐要求，需要大幅提高內存系統的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節當地時間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內存模組
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存儲產業 HBM MRDIMM MCRDIMM
美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內存超過?128GB?的應用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數據中心工作負載方面，表現優于當前的?TSV RDI
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美光 MRDIMM 低延遲主存 數據中心
近日，美光科技宣布在業界率先驗證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內存，其速率在所有主流服務器平臺上均高達5600MT/s。據介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內存采用美光行業領先的1β（1-beta）制程技術，相較于采用3DS硅通孔（TSV）技術的競品，容量密度提升45%以上，1能效提升高達22%，2延遲降低高達16%1。該款高速率內存模組特別針對數據中心常見的任務關鍵型應用，包括人工智能（AI）和機器學習（ML）、高性能計算（HPC）、內存數據庫（IMD
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DRAM芯片 美光科技 DDR5
5月6日消息，供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席產品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時表示，將于今年晚些時候推出 AmpereOne-2，配備 12 個內存通道，改進性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內存控制器數量將增加 33%，內存帶寬將增加多達 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，計劃在 2025 年發布，擁有 256 個核心，采用臺積電的 3nm（3N）工藝蝕刻。附上路線圖如下：AmpereOne-3 將采用改進后的
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AmpereOne-3 芯片 256核 PCIe 6.0 DDR5
2 月 5 日消息，據報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態電路峰會上推出多款尖端內存產品。除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
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三星 32Gb DDR5 內存芯片
內存產業復蘇明確，包括旺宏、南亞科、創見、鑫創、廣穎、鈺創、商丞等七家公司，去年12月營收呈現月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續漲。然全球第二大內存生產商SK海力士計劃階段性擴產，為內存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產幅度，NAND Flash生產策略可能視情況在第二季或第三季跟著調整。針對內存大廠有意擴產，國內存儲器廠商則認為，海力士擴廠應集中在DDR5和HBM（高帶寬內存）產品為主，因為臺灣目前產品主攻DDR4，不致影響產品報價。TrendForc
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DDR5 HBM 內存 TrendForce
隨著PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，DDR5日益受到市場青睞。除了原廠持續布局外，近期威剛、十銓科技、宇瞻等模組廠商亦積極投入DDR5，并持續看好這類產品后續發展。威剛對外表示，現階段觀察到存儲市場需求端主要來自于PC，客戶需求明顯好轉，且隨著PC存儲器容量提升，預期明年上半年DDR5將會超越DDR4，形成黃金交叉。以目前現貨市場來看，DDR5單價較DDR4高四至五成，對威剛而言，DDR5比重提升，有助毛利率表現。產品布局方面，威剛DDR5主攻電競市場，已推出LANCER
BLADE RGB DDR
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存儲模組 DDR5
今年以來，ChatGPT持續推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產品。DDR5：美光發布新品、三星計劃擴大產線當前DDR5制程已經來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內存，速率高達 7200
MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內存采用先進的High-K
CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品，性能提升高
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存儲器 DDR5 HBM
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